PT对称硅微谐振器

低插损非互易传输

在精确相区工作,通过扰动诱导非互易传输,避免了传统破缺相弱耦合导致的高插损问题。

Rui, Wang · Han, Lei · Zhang, Manna · Wang, Lifeng · Huang, Qing'an

Communications Physics 2025

参数信息

非互易传输
8 dB
插入损耗
5 dB
隔离度
13 dB

技术优势

插损更低

系统工作在精确相区,处于强耦合状态,避免了破缺相弱耦合导致的高插损。

扰动可电调

耦合强度、外部扰动和非线性增益均可通过电学方式调节,便于动态控制非互易特性。

隔离度够用

非互易传输8 dB,隔离度超过13 dB,满足电子隔离器和环形器的基本需求。

应用场景