CdIn2S4单层

宽应变高迁移率

一种准直接带隙二维半导体，电子和空穴在不同区域分布，可抑制复合，适用于高速光电器件。

Hu, Lei · Xu-Dong, Zhou · Ru-Fei, Tang · Xi, Qin · Jie, Cheng · Song, Wu · Ming-Xia, Tang · Zhi, Long · Zou, Xing · 饶通德 · An-Rong, Wang · 王仕发 · Yong, Wei · 刘俐俐 · Wu, Xiaozhi

Results in Physics 2023

参数信息

带隙

1.73 eV

电子迁移率

3000-11000 cm²·V⁻¹·s⁻¹

技术优势

电子空穴难复合

价带顶和导带底位于不同原子区域，空间分离抑制复合。

应变下迁移率仍高

在双轴应变−4%至4%范围内，电子迁移率保持在3000~11000 cm²·V⁻¹·s⁻¹。

激发载流子更多

强可见光吸收和大幅降低的激子结合能使光生电子和空穴更易分离。

应用场景

• 二维半导体：用作二维半导体材料，兼顾合适带隙与超高迁移率。
• 高速光电器件：强吸收和低激子结合能提升光响应速度。
• 二维材料电子器件：迁移率高且耐应变，适合柔性电子器件。