11.2 W/mm 功率密度
在自支撑GaN衬底上采用非对称Γ栅与场板，实现200 V以上击穿电压和10 GHz下11.2 W/mm的连续波功率密度。
Hu, Yansheng · Wang, Yuangang · Wei, Wang · Lv, Yuanjie · Guo, Hongyu · Zhang, Zhirong · Hao, Yu · Song, Xubo · 周幸叶 · Han, Tingting · Dun, Shaobo · Liu, Hongyu · 卜爱民 · 冯志红
Journal of Semiconductors 2024