外延 GaSb 薄膜

低缺陷密度

通过 V 形槽 Si 中空结构和 InGaSb/GaSb 位错过滤层，在 Si 上实现无反相畴、低位错密度的 GaSb 薄膜，表面原子级平整。

Dong, Han · Wei, Wenqi · Ming, Ming · 王滋豪 · 汪庭 · 张建军

Applied Physics Letters 2023

具体参数

上螺纹位错密度降

{'zh': '3.5 × 10⁷', 'en': ''} cm⁻²

上螺纹位错密度降

{'zh': '2 × 10⁷', 'en': ''} cm⁻²

上为

{'zh': '0.34', 'en': ''} nm