MoSTe/g-GeC异质结

直接Z方案光催化

一种具有交错能带排列的直接Z方案异质结构，可有效分离光生载流子并增强光吸收。

Ma, Deming · Huan, Li · Wang, Jiahao · Jinchi, Hu · Xiaoyu, Yang · Yuhui, Fu · 崔真 · 李恩玲

International Journal of Hydrogen Energy 2024

具体参数

带隙
{'zh': '0.47', 'en': '0.47'} eV
内建电场
{'zh': '1.03', 'en': '1.03'} eV
适用pH范围
{'zh': '0–7', 'en': '0–7'}

技术优势

电荷分离高效

内建电场从g-GeC指向MoSTe，大小为1.03 eV，有效抑制电子-空穴复合。

光吸收增强

异质结的光吸收系数显著高于单层MoSTe和g-GeC。

带隙可调至直接

施加拉伸应变可将异质结的带隙从间接转变为直接，进一步提升光吸收效率。

宽pH适用

在pH 0–7范围内，还原反应发生在g-GeC层，氧化反应发生在MoSTe层，保持强氧化还原能力。

应用场景