压电势可调
通过改变二维插层位置，局部压电势分布可调，压电电子学行为与传统氧化锌纳米线显著不同。
张进 · Zhou, Jianli
Materials Science in Semiconductor Processing 2023
由于ZnO与二维材料界面弱连接，仅压缩力能有效触发压电势，排除了其他干扰力。
通过改变二维插层材料的位置，可以调控纳米线内局部压电势分布。
石墨烯-ZnO纳米线的整体压电势差远大于传统ZnO纳米线，有利于提高器件输出。
由于界面处存在额外势垒或肖特基势垒，MoS₂–ZnO纳米线表现出与传统器件显著不同的压电电子学行为。