氘穿透快于质子
吡啶氮缺陷在室温电场驱动下使氘的渗透速率超过质子，呈现逆动力学同位素效应。
Ba, Jingwen · Chen, Jinfan · Xiong, Renjin · Xu, Jingsong · Haibo, Li · Yan, Xiayan · Qin, Cheng · Li, Rui · Pan, Qifa · Tan, Xinxin · 唐涛 · 向鑫 · 蒙大桥
Chemical Engineering Journal 2024
吡啶氮缺陷的石墨烯膜在室温电场下呈现逆动力学同位素效应（kH/kD=0.75），可直接用于从同位素混合物中优先富集氘。
氮掺杂将石墨烯膜的质子/氘渗透率提升约10倍，同时保持室温操作，省去传统分离方法的高温或复杂流程。
同位素效应方向由氮缺陷构型精确控制：吡啶氮给出逆KIE，吡咯氮给出正常KIE，可通过缺陷工程按需调控分离行为。