反常载流子迁移
通过界面内建电场反转载流子迁移方向,电子局域在半导体而空穴迁移至金属,显著延长光生载流子寿命。
Yaoyao, Feng · 牛志睿 · 甄延忠 · 任景俞
Journal of Materials Science and Technology 2027
内建电场反转载流子迁移方向,使光生电子局域在半导体中,空穴迁移至金属侧,同时肖特基势垒在热力学上阻止电子从半导体向金属的补偿迁移,因而载流子寿命显著延长。
得益于载流子有效分离和活性位点优化,优化催化剂的析氢速率达到13.1 mmol g⁻¹ h⁻¹,为Mn₀.₅Cd₀.₅S的9倍。
该催化剂在反复循环测试中保持高活性,表现出优异的稳定性,适合长期运行。