Hf₀.₅Zr₀.₅O₂铁电薄膜

畴取向可调控

在TiN(001)/(111)衬底上生长的Hf₀.₅Zr₀.₅O₂薄膜通过调节畴取向增强了剩余极化。

Zhang, Shunda · Zhang, Jiahui · 刘景全 · Si, Mengwei · Li, Wenwu · 褚君浩 · 曹彦伟 · Wang, Zhen · 李秀妍

Nature Communications 2025

技术优势

极化更高

在TiN(001)和(111)衬底上，(001)O和/或(010)O畴在电场下对剩余极化有完全贡献，从而增强剩余极化。

新调控途径

揭示了四方相到正交相的隐藏转变路径，可通过界面位错控制畴取向，从而调控极化。

应用场景

• 铁电存储器：利用高剩余极化实现更稳定的存储状态，提升铁电存储器的可靠性。