非平面AlGaN紫外光电二极管

暗电流降至皮安级

非平面结构把两个肖特基接触分开，一个在AlGaN台面顶部、一个在GaN缓冲层上——借2DEG的高迁移率获利，却不背它带来的高暗电流，紫外探测信噪比显著提升。

Tsai, Chialung · Wang, Tongwen · Manjunatha, S. N. · Sharma, Mukta · Das, Atanu · Chia-Wei, Chen · Jin-Rong, Zhang · Yi-Shian, Chen · Ko, Sun Chien

Materials Science in Semiconductor Processing 2023

参数信息

暗电流

<6 × 10⁻¹⁰ A

紫外响应波长范围

<360 nm

3-dB带宽

29.6 Hz

技术优势

暗电流降至皮安级

非平面结构分离两个肖特基接触，抑制了二维电子气引起的高暗电流。

反向偏置提升紫外响应

反向结处光生载流子解离增加，信噪比改善，使得λ<360 nm处紫外响应度增强。

支持光通信应用

3-dB带宽达29.6 Hz，可用于潜在的光通信。

应用场景

• 深紫外探测：直接探测λ<360 nm的深紫外光，无需滤光片。
• 紫外成像：低暗电流提高信噪比，适合构建高灵敏度紫外图像传感器。
• 紫外光通信：29.6 Hz带宽可调制，用于紫外光信号传输。
• 光电检测仪器：作为关键探测元件，集成到各类光电检测设备中。