Y₂O₃ 抛光液

原子级无损抛光

利用紫外/臭氧生成色心，在机械剪切下选择性去除表面原子，抛光过程不伤及晶格。

Liyun, Liu · Dawei, Liu · 刘金伟 · Peng, Zhang · 余德平 · Baranowska, Jolanta · Franklin, Steven E. · Xiao, Chen

Applied Surface Science 2026

参数信息

去除速率

383.3 nm/min

表面粗糙度 Sa

0.6 nm

技术优势

原子级无损

选择性去除 Y 原子，不破坏亚表面晶格，TEM 证实原子结构基本未受影响。

去除速率大幅提升

UV/O₃ 处理使去除速率达到 383.3 nm/min，较常规 CMP 显著提高。

表面质量优异

抛光后表面粗糙度 Sa 低至 0.6 nm，满足原子级平坦度要求。

选择性地去除

利用色心导致的 Y 原子活化，通过 Si–O–Y 键在剪切下实现定向原子去除，避免无序剥离。

应用场景

• 光学窗口抛光：抛光后表面粗糙度 Sa 低至 0.6 nm，适合高精度光学窗口。
• 原子级表面加工：选择性去除原子且不损伤晶格，实现原子级表面完整。
• 激光晶体抛光：去除速率 383.3 nm/min 且原子结构无损，适合激光晶体加工。
• 超精密制造：兼具高去除速率与低损伤，支撑超精密制造需求。