ALD非渗透SnOx缓冲层

活化PCBM保形覆盖

通过活化PCBM表面引入反应位点，使ALD SnOx由岛状生长转变为逐层致密生长，形成可抵挡溅射的非渗透缓冲层，让半透明和叠层器件长期稳定。

Bohao, Yu · Fei, Tang · 杨玉照 · Huang, Jincheng · Wu, Shaohang · 路飞平 · Duan, Weiyuan · Lambertz, Andreas · Ding, Kaining · Mai Yaohua

Advanced Materials 2023

具体参数

半透明钙钛矿电池效率

{'zh': '20.25', 'en': ''} %

硅叠层电池效率

{'zh': '23.31', 'en': ''} %

保持初始效率

{'zh': '99', 'en': '>99'} %