硅基超高Q超表面

Q值超现有5倍

采用集体-集体耦合，实现类似电磁感应透明的共振带，突破传统局部-集体耦合限制。

Zhao, Xueqian · Rixing, Huang · Du, Xiang · 张振荣 · 李光元

Nano Letters 2024

参数信息

品质因子

2750

技术优势

Q值高5倍

实测Q因子达2750，超越现有技术5倍以上，得益于米氏电偶极SLR与面外/面内电四极SLR之间的集体—集体耦合。

群延迟可发散

由于面内电四极SLR具有连续谱束缚态特性，集体EIT类共振的群延迟可发散，无需复杂优化即可获得超大光延迟。

应用场景

• 光延迟与光存储：用超高Q和发散群延迟在片上实现光缓存和慢光。
• 非线性光学：超高Q显著增强局域场，降低非线性阈值。
• 超表面传感：极窄共振对折射率变化更敏感，提升传感灵敏度。
• 硅基光子器件：与CMOS工艺兼容，可直接集成进硅光芯片。