无电复位全光计算
光照剂量超过阈值后，器件能从负光电导记忆自动转换为正光电导记忆，无需电复位即可实现全光储层计算。
Li, Jie · 周广东 · 凌海峰 · 胡悦 · 袁建军 · Ji, Xun · 王丽丹 · Huang, Xiaozong · 孙柏 · 孙佳 · 周晔 · 熊诗圣 · 段书凯
Advanced Materials 2026
光照剂量超过阈值时，器件靠光生空穴氧化铁和焦耳热辅助光电子脱陷自动从负光电导记忆转换为正光电导记忆，省去了外部电信号复位步骤。
负光电导记忆提供丰富的回波状态用于动态特征编码，正光电导记忆初始化编码状态，构成自适应储层计算系统，能对复杂信号进行实时处理。
利用该器件构建的储层计算系统在动态信号识别任务中达到97.93%的准确率，验证了其在边缘计算中的实用性。
器件在光照剂量0.72 µJ/µm²处从负光电导记忆自动切换到正光电导记忆，这一确定性阈值使得状态转换可预测、可设计。