单晶石墨烯晶圆

大面积高均匀

在无孪晶界的Cu(111)衬底上外延生长,解决了传统衬底中孪晶界导致石墨烯质量下降的问题,为高性能电子器件提供高质量晶圆级材料。

Zhu, Yeshu · Zhang, Jincan · Tang, E. Chia Cheng · 唐纪琳 · Duan, Hongwei · Hu, Zhaoning · Shao, Jiaxin · Wang, Shiwei · Wu, Haotian · 李胜 · Balci, Osman · Schinde, Sachin M. · Ramezani, Hamideh · 王路达 · 林立 · A. C. Ferrari, A. · Yakobson, Boris I. · Peng H. · Jia, Kaicheng · 刘忠范

Advanced Materials 2023

具体参数

英寸晶圆区域载流子迁移率高
7284 cm² V⁻¹
石墨烯畴取向一致性
97 %
英寸区域方块电阻均匀性偏差仅
5 %