g-C₃N₄纳米界面层

断裂能提442%

一种原位形成的纳米晶/非晶g-C₃N₄中间层，通过机械互锁与强界面键合显著提升AlN/Ag界面的抗断裂性能。

Feng, Wenjie · Haoran, Song · 李桂景 · Xiaofei, Wang

Diamond and Related Materials 2025

参数信息

临界断裂能提升

442 %

最大界面剥离应力提升

132 %

技术优势

断裂能剧增

g-C₃N₄中间层通过机械互锁和强界面键合，使临界断裂能比无中间层时高442%。

缓解应力集中

g-C₃N₄纳米层有效缓解Ag膜附近的应力集中，推迟AlN/Ag结构的界面损伤。

应用场景

• 电子封装界面层：作为AlN与金属层之间的应力缓冲和增韧层，提升封装结构抗分层能力。
• 陶瓷金属连接：通过中间层强化陶瓷与金属间的机械互锁，使接头在弯曲载荷下更不易脱开。
• 功率模块基板：提高AlN基板与导电层结合的可靠性，耐受功率循环产生的热机械应力。
• 微电子互连：在金属化界面抑制裂纹萌生与扩展，保证互连结构在应力下的完整性。