阳离子交换掺杂剂

高电导低损伤

用阳离子交换法实现N2200的高效n型掺杂,同时保持结构有序,电导率比传统方法高一个量级。

赵晓磊 · Alsufyani, Maryam · Tian, Junfu · Lin, Yuanbao · Sang Young, Jeong · Woo Han Young · 尹毅 · McCulloch, Iain

Advanced Materials 2024

参数信息

电导率
1 ×10⁻² S cm⁻¹

技术优势

掺杂不伤结构

阳离子交换掺杂在实现高掺杂水平的同时保持 N2200 的高结构有序度,避免传统掺杂导致的链堆积破坏,从而获得高电导率。

掺杂速度快

在合适的掺杂剂和离子液体组合下,短时间内即可达到高掺杂水平,利于快速制备高导电薄膜。

电导率大幅领先

所得 N2200 电导率接近 1×10⁻² S cm⁻¹,远高于其他掺杂方法,为同类材料最高值之一。

普适性强

该方法对不同掺杂剂和离子液体具有鲁棒性,为多种 n 型共轭聚合物的高效掺杂提供了通用途径。

应用场景