Bi2SiO5单晶栅介质

免聚合物转移

垂直生长的超薄单晶兼具高介电常数（>30）与宽带隙（~3.8 eV），并可通过机械按压实现洁净范德华集成。

Chen, Jiabiao · Zhaochao, Liu · Dong, Xinyue · Gao, Zhansheng · Lin, Yuquan · Yuyu, He · Duan, Yingnan · Zhou, Zhengyang · Fu, Huixia · 罗峰 · 吴金雄

Nature Communications 2023

具体参数

带隙

{'zh': '~3.8', 'en': '~3.8'} eV

MoS

{'zh': '3', 'en': '3'} mV

DIBL

{'zh': '', 'en': '5'} mV/V

技术优势

介电常数>30