CO 产率 135.7 µmol g⁻¹
通过选择性外延生长实现界面晶格匹配，形成 2D/2D p-n 异质结，显著促进电荷传输，增强 CO2 光还原为 CO 和 CH4。
张洋洋 · Shi, Zuhao · 刘仲毅 · 李俊 · 李能 · 黄洪伟
Angewandte Chemie - International Edition 2024
界面晶格高连接且匹配，加上 p-n 结内建电场，为电子转移提供了快速通道。
p-n 异质结促进电子从 Cu 位点转移到 Bi 位点，使 Bi 位点具有高电子密度和低氧化态，有利于 CO2 的吸附和活化。
Bi 位点促进 CO2 吸附并生成高覆盖度的关键中间体 b-CO32-，从而提升还原效率。
与纯 CS、BWO 及物理混合物 CS-BWO 纳米片相比，CO 和 CH4 产率显著提高。