反铁磁NiO调控SMR多层膜

室温负SMR

利用NiO的Néel矢量方向调控自旋霍尔磁阻的符号与幅度，无需改变界面质量即可实现室温负SMR。

Yong, Wu · Zhou, Jun · Shi, Xian · Liu, Ye · Liu, Qi · 孟康康 · 陈吉堃 · 徐晓光 · 姜勇 · Yang, Ming

Advanced Functional Materials 2025

技术优势

无需改界面

通过NiO的Néel矢量调控SMR，避免了改变HM/FM界面质量。

室温负SMR

在具有超薄Co和NiO层的多层膜中实现了室温负SMR。

SMR可翻转

通过改变NiO厚度或温度，可实现SMR符号翻转。

应用场景

• 自旋电子器件：用于调控自旋霍尔磁阻，提高器件性能。
• 磁随机存储器：实现磁阻调控，优化存储单元读写。
• 自旋逻辑器件：利用SMR符号翻转实现逻辑状态切换。
• 自旋霍尔传感器：提高传感器灵敏度与信号极性控制。