磁流变弹性体抛光垫

10分钟粗糙度降99%

通过磁场调控弹性体力学性能，实现单晶硅超精密抛光的高效收敛。

李长生 · Xiaohong, Gao · Yusheng, Zang · 陈兆翔 · Ding, Jianrong Jun · 杨树明 · 蒋庄德

Journal of Materials Research and Technology 2025

具体参数

抛光后表面粗糙度
{'zh': '0.373', 'en': '0.373'} nm
初始表面粗糙度
{'zh': '20', 'en': '20'} nm
表面粗糙度降低率
{'zh': '98.135', 'en': '98.135'} %
抛光时间
{'zh': '10', 'en': '10'} min

技术优势

粗糙度直降98%

使用MRE抛光垫仅在10分钟内将表面粗糙度从Ra 20 nm降至0.373 nm，收敛效率远高于传统抛光。

磁场即可调性能

MRE的力学性能（如剪切储能模量）可由外加磁场和制备参数调控，从而根据需要调整抛光过程。

质量可预测

首次建立多参数耦合模型，关联MRE剪切储能模量与抛光去除率和表面粗糙度，为预测抛光质量和优化工艺奠定基础。

应用场景