ITO薄膜晶体管

近零迟滞

ITO沟道相较IGZO在2T0C DRAM读出晶体管中展现出显著更优的偏压应力稳定性和数据保持能力。

75008109 · Yunjiao, Bao · 75008110 · Yupeng, Lu · Wang, Guilei · 许高博 · 殷华湘 · Zhao Chao · 罗军

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

参数信息

阈值电压漂移

<0.07 V

保持时长提升倍数

>7

技术优势

迟滞近零

ITO TFT的迟滞几乎为零，因为沟道成分简单，且退火过程中Sn价态变化减少了陷阱。

偏压应力下漂移极小

在正负偏压应力1000秒后，阈值电压漂移小于0.07 V，确保稳定工作。

保持时间延长7倍以上

作为2T0C DRAM读出晶体管，ITO的保持时长是IGZO的7倍以上。

应用场景

• 2T0C DRAM：用ITO读出晶体管降低阈值电压漂移，提高数据保持时间。
• 存储器件：提供高可靠、低漂移的沟道材料，提升存储器稳定性。