强度与导电兼得
通过原位CVD生长和热挤压实现CNTs在铜基体中的均匀分散与强界面结合,克服了传统粉末冶金中CNTs团聚和界面弱的问题,在保持高导电性的同时大幅提升力学性能。
Fanfan, Zhou · 陈小鸿 · 刘萍
Journal of Materials Research and Technology 2025
CNTs与Al2O3均匀分散并与铜基体形成强界面结合,发挥细晶强化、Orowan强化、位错强化和载荷传递多种机制,使抗拉强度达到436±5 MPa,远超纯铜。
原位生长的CNTs与基体结合良好,减少界面电子散射,使复合材料在强度大幅提升的同时电导率仍达88.46±0.84 %IACS,适合需要高强度高导电的场合。
原位CVD生长结合快速热压烧结和热挤压,流程简单,无需复杂设备,适合大规模生产,为工业制造高强度高导电复合材料提供了设计策略。