碳掺杂氮化硼纳米带

巨磁阻达 10⁵

通过在锯齿形氮化硼纳米带中掺杂碳原子，实现同时具有巨磁阻和自旋整流效应的纳米器件，为高性能自旋电子学开辟新路径。

双丰 · Zheng, Fang · Cai, Wei

Scientific Reports 2024

参数信息

自旋向上电流

-1.2 V

自旋向下电流

1.0 V

技术优势

磁场不再是必需

巨磁阻源于碳掺杂导致的能带重构和自旋极化传输，无需外加磁场即可工作。

极有望落地

模型表明碳掺杂路线可推动高性能自旋电子学技术走向应用。

应用场景

• 自旋电子学：直接用作自旋电子学核心元件，无需外加磁场。
• 纳米电子器件：集成到纳米电路中，实现磁阻与整流功能。
• 磁存储：利用巨磁阻效应提高磁存储读取灵敏度。
• 磁传感器：高磁阻变化率使传感器更灵敏。