Ti(Nb)-Si-C防护涂层

阻挡Cr挥发

致密均匀的磁控溅射涂层，氧化后形成富Ti/Si贫Cr外层，有效抑制Cr扩散挥发。

Li, Xichao · Wei, Shouli · Xianwei, Sun · Jingxiang, Zhao · Qiangqiang, Hou · Kang, Fu · Dai, Zuoqiang · Zheng, Lili

Corrosion Communications 2025

具体参数

氧化速率常数 (k_p)

{'zh': '1.1 × 10⁻¹⁴', 'en': '1.1 × 10⁻¹⁴'} g²·cm⁻⁴·s⁻¹

面比电阻 (ASR)

{'zh': '12.8', 'en': '12.8'} mΩ·cm²

技术优势

氧化速率骤降

涂层将氧化速率常数降至1.1 × 10⁻¹⁴ g²·cm⁻⁴·s⁻¹，相比于未涂层合金氧化皮生长极慢。

挡住Cr逸出

表面形成富Ti/Si贫Cr的氧化外层，减少了Cr向外扩散和挥发。

长期高温低电阻

800 °C氧化500 h后面比电阻仅12.8 mΩ·cm²，满足SOFC互连导电需求。

应用场景

• SOFC金属互连：保护互连免于Cr毒化并维持低电阻。
• 高温防护涂层：在800 °C以上屏蔽金属件氧化和Cr挥发。
• 抗氧化涂层：形成致密氧化皮，急剧减缓进一步氧化。
• 不锈钢表面处理：通过溅射在不锈钢表面直接制备功能陶瓷层。