串联SiC MOSFET有源箝位拓扑

均压更稳，dv/dt可调

通过分立箝位电容实现各器件电压可靠箝位并自动均衡峰值电压，只需调节门极驱动延时即可抑制开关噪声，损耗增加极小。

张帆 · Yuze, Zheng · Zhang, Xuan · 杨旭 · 陈文洁

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

技术优势

自动均压

箝位电容电压在拓扑工作过程中自动均衡，因此串联器件的峰值电压容易平衡，无需复杂的均压控制。

高鲁棒性

利用分立箝位电容将每个SiC MOSFET的漏源电压箝位，实现了高鲁棒性的开关过程。

应用场景

• 中压变换器：用低成本低压器件串联实现中压变换器，替代昂贵的高压开关。
• 高压功率模块：为高压模块提供可靠的内部均压方案，提升模块鲁棒性。
• 电机驱动：抑制驱动逆变器中的高dv/dt噪声，延长电机绝缘寿命。
• 电网接口：在电网接口中利用串联器件提升电压等级并降低开关噪声。