超薄沟道光电晶体管

迁移率探测率双高

在5nm超薄InNbO/ITO沟道上同时获得49.21 cm²V⁻¹s⁻¹迁移率和3.02×10¹⁴ Jones探测率，突破柔性器件难以兼得的瓶颈。

肖鹏 · Jianrong, Lin · Yubu, Zhou · Haixing, Tan · 张浩军 · Ziqing, Liu · Si, Liu · Runfeng, Wu · 聂国政 · Kar-Wei, Ng · 陈建文 · Zhang, Yiping · Liu, Baiquan

Applied Physics Reviews 2025

具体参数

迁移率
49.21 cm²V⁻¹s⁻¹
探测率
3.02 × 10¹⁴ Jones
沟道厚度
5 nm
ITO厚度
3 nm

技术优势

迁移率探测率双高

超薄InNbO/ITO沟道同时实现49.21 cm²V⁻¹s⁻¹迁移率和3.02×10¹⁴ Jones探测率，打破了柔性器件中常见的性能折中。

超薄沟道

总厚度仅8nm的InNbO/ITO沟道使器件轻薄且适合柔性集成，同时仍保持高性能。

宽光谱响应

器件的光谱响应覆盖紫光至绿光发射，适用于多种可见光应用。

应用场景