厚膜高场不减
厚层中倾斜的BHO纳米柱与自然缺陷协同钉扎，使高场临界电流密度衰减更慢。
Mengrui, Zhao · 吴越 · Haoliang, Xiang · 刘德安 · Shi, Jiangtao · Tsuchiya, Yuji · Okada, Tatsunori · Awaji, Satoshi · Yue, Zhao
Applied Surface Science 2025
厚层中倾斜的 BHO 纳米柱和自然缺陷形成强钉扎，使 4.2 K、14 T 下 Jc 仍达约 5 MA/cm²，与薄层相当。
厚层在 30 K、5 T 和 50 K、3 T 下 Jc(θ) 各向异性低于薄层，磁场角度依赖更小，利于复杂磁场环境。
在 77 K 和 4.2 K 自场下薄层 Jc 约为厚层的两倍，但厚层厚度增加使得单位宽度临界电流大幅提升。