铟注入CdS微丝

光响应提升百倍

对CdS微丝进行铟离子注入修复本征缺陷，显著增强其光电探测性能。

Zhao, Xiaoyu · Wang, Xuefeng · 郭帅 · Wu, Mengxuan · Quan, Sufeng · Zheng, Ma

Journal of Physics D: Applied Physics 2024

参数信息

响应度

390 mA W⁻¹

外量子效率

119 %

比探测率

3.82 × 10⁷ Jones

衰减时间

652 ms

技术优势

响应度提升近百倍

铟离子注入修复了CdS微丝中的本征缺陷，减少了载流子复合中心，从而使光电探测器的响应度和外量子效率大幅提高。

响应速度加快

衰减时间从原始器件的3.82 s缩短至652 ms，表明铟离子注入有效抑制了陷阱态导致的慢衰减过程，使光电流能够更快达到稳态。

制备方法通用

CdS微丝采用化学气相沉积法合成，铟离子注入为常规工艺，无需复杂设备，有利于规模化制备高性能光电探测器。

应用场景

• 高性能光电探测：用铟注入CdS微丝制备高灵敏度、快响应的可见光探测器。
• 集成光子器件：将CdS微丝作为片上光电探测单元，与波导、调制器集成。
• 柔性光电系统：一维微丝可转移至柔性衬底，用于可弯曲的光电探测器件。
• 光电传感网络：将多个微丝探测器组成阵列，用于光信号监测与成像。