250°C下储能密度翻19倍
通过痕量半导体聚合物的分子级分散，在不牺牲绝缘性的前提下提升陷阱能级，有效抑制高温下的传导损耗。
Pan, Zizhao · Jin, Fei · Li, Li · 董久锋 · Niu, Yujuan · Sun, Liang · Liu, Yuqi · Shuoyan, Liu · Anda, Wang · Wang, Qing · 汪宏
Advanced Materials 2026
半导体链段产生的深陷阱固定注入电子，提高高能级陷阱密度，抑制高温跳跃传导，使充放电效率维持在90%以上。
复合材料的电容性能相对于原始聚合物提升1940%，同时保持高充放电效率。
在250°C下同时实现3.9 J cm⁻³的高能量密度和90%的充放电效率，并保持超长期稳定。