过电位324 mV
通过高价Mo锚定定制Co-MOF活性位点，在100 mA cm⁻²下实现低过电位与200小时稳定运行，优于商用RuO₂基准。
Sun, Na · Xue, Zhou · Han, Yu · 丁茯 · Kong, Xiangru · 孙亚光
Small 2024
通过高价Mo锚定，可以调控Co-MOF的电子结构和中间体吸附能，从而优化OER活性。
在100 mA cm⁻²下过电位仅324 mV，Tafel斜率96.07 mV dec⁻¹，优于RuO₂/NF（420 mV, 199.12 mV dec⁻¹）。
在100 mA cm⁻²下维持200小时，展示出优异的耐久性，适合实际电解槽应用。