低温真空合成
在550–650 °C真空条件下金属与4H–SiC直接固相扩散反应生成金属硅化物，无需保温。
Wu, Min · 黄辉 · 吴跃勤 · Xiaolei, Wu
Ceramics International 2024
固相扩散反应在达到温度阈值后立即进行，无需额外保温时间，可缩短工艺周期并降低能耗。
Fe、Ni、Co与4H–SiC的扩散反应速率存在显著差异，因此可通过选择金属种类来调控扩散层的生长速率和厚度。
反应直接在单晶4H–SiC上进行，生成的金属硅化物与基底形成连续界面，有利于制备高质量的扩散涂层或复合材料。