大面积InSe纳米薄膜

突触能耗低一个量级

溶液法直接制备含硒空位的InSe大面积薄膜，用于构建双端光子突触，其单次突触事件能耗比生物突触低一个数量级。

Yang, Xuxuan · 王东博 · Zheng, Zhiyao · Zhao, Chenchen · 刘冬好 · Sihang, Liu · Dong, Li · Hao, Dang · Xin, Li · 胡平安 · 冯伟 · 李正 · 刘瑞远

Nano Energy 2026

具体参数

单次突触事件能耗
{'zh': '0.51', 'en': '0.51'} fJ
薄膜面积
{'zh': '2', 'en': '2'} cm²
器件阵列规模
{'zh': '5', 'en': '5'} ×6

技术优势

能耗低一个数量级

单次突触事件仅约0.51 fJ，比生物突触低一个数量级，适合规模集成。

溶液法直接成膜

电化学插层制得InSe纳米片，旋涂即得2×2 cm²均匀薄膜，无需转移。

硒空位俘获载流子

插层过程同步引入硒空位作为缺陷中心，高效俘获光生载流子，增强突触响应。

光谱可调突触

突触行为随光谱变化，可用于模拟不同情绪状态下的学习与记忆过程。

应用场景