硅掺杂硫化银

晶格热导率降56%

通过硅掺杂引入高阶非谐性，同时抑制晶格和电子热传输，在保持Seebeck系数的情况下显著降低热导率。

Ma S.X. · Li, Dou · Guo Q.H. · Li N. · 王伟丽

Materials and Design 2026

参数信息

晶格热导率(603 K)

0.38 Wm⁻¹K⁻¹

制备时间

40 min

技术优势

制备时间短

采用真空电磁感应熔炼一步合成，制备时间不到40分钟，显著缩短工艺周期。

Seebeck系数损失小

掺杂在抑制热导率的同时没有显著降低Seebeck系数，从而保持发电性能。

应用场景

• 热电材料：用于温差发电，回收废热为电能。
• 半导体掺杂：通过元素掺杂调控载流子与声子输运，优化热电性能。