Ru-NiOOH/NiMoSₓ异质结电催化剂

安培级析氢低过电位

利用界面Ru位点触发氢溢流,同时超亲水/超疏气表面强化传质,克服工业电流密度下电荷/传质限制。

Feng, Gu · Jie, Wang · 张弦 · Shuxuan, Liu · Bohua, Ren · Wen, Guobin · 郭志光

Applied Catalysis B: Environmental 2025

具体参数

过电位
{'zh': '191.73', 'en': '191.73'} mV
稳定性
{'zh': '500', 'en': '500'} h
电解槽电压
{'zh': '1.644', 'en': '1.644'} V
电解槽稳定性
{'zh': '100', 'en': '100'} h

技术优势

安培级过电位极低

界面Ru位点促进H*溢流,优化氢脱附,大幅降低电荷转移阻力,1 A cm⁻²下过电位191.73 mV。

长期运行不衰减

在1 A cm⁻²大电流密度下持续稳定运行500小时,材料结构未发生明显劣化。

单池电压低至1.644V

在实际电解槽中,60 °C、30 wt% KOH条件下,1 A cm⁻²电流密度时仅需1.644 V,接近热中性电压。

应用场景