安培级析氢低过电位
利用界面Ru位点触发氢溢流,同时超亲水/超疏气表面强化传质,克服工业电流密度下电荷/传质限制。
Feng, Gu · Jie, Wang · 张弦 · Shuxuan, Liu · Bohua, Ren · Wen, Guobin · 郭志光
Applied Catalysis B: Environmental 2025
界面Ru位点促进H*溢流,优化氢脱附,大幅降低电荷转移阻力,1 A cm⁻²下过电位191.73 mV。
在1 A cm⁻²大电流密度下持续稳定运行500小时,材料结构未发生明显劣化。
在实际电解槽中,60 °C、30 wt% KOH条件下,1 A cm⁻²电流密度时仅需1.644 V,接近热中性电压。