InNbO光电晶体管

紫外高性能

超薄掺铌氧化铟有源层，无需光吸收层即可实现高灵敏宽光谱光探测

Jianrong, Lin · Wenhui, Fang · Haixing, Tan · 张浩军 · Jingfei, Dai · Ziqing, Liu · Si, Liu · 陈建文 · Runfeng, Wu · Hua, Xu · Kar Wei, Ng · 肖鹏 · Liu, Baiquan

Laser and Photonics Reviews 2024

具体参数

平均迁移率

22.86 cm² V⁻¹s⁻¹

开启电压

-0.75 V

亚阈值摆幅

0.18 V/decade

开关电流比

5.74×10⁸

光电流

4.72×10⁻⁴ A

光敏度

1.69×10⁸

探测率

3.33×10¹³ Jones

技术优势

不需要额外光吸收层

InNbO本身即可实现宽光谱响应，简化器件结构并降低成本。

探测率显著超过IGZO

在405nm光照下探测率达3.33×10¹³ Jones，远高于IGZO光电晶体管，适用于微弱光检测。

可直接驱动QLED像素

基于InNbO光电晶体管的有源矩阵量子点发光二极管像素电路已被验证，为交互显示提供集成方案。

应用场景

• 量子点发光驱动：作为像素电路驱动元件，实现有源矩阵QLED显示。
• 紫外光探测：在405nm光照下实现高探测率，适用于紫外光检测。
• 光传感：宽光谱响应和低亚阈值摆幅，可用于光传感信号放大。
• 柔性显示：超薄InNbO薄膜兼容柔性衬底，有望用于柔性显示。