纳米SiO₂抑制空间电荷
通过调整SiO₂粒径（1 µm、100 nm、30 nm），该复合材料可优化结晶行为并抑制空间电荷积累，其中30 nm SiO₂能最有效地降低残余电荷，提升高压直流绝缘的可靠性。
姜洪涛 · 袁鸿
Materials 2024
30 nm SiO₂复合体系在去极化后残余空间电荷最少，有利于降低电场畸变风险。
添加30 nm SiO₂后，材料结晶度明显增加，有助于改善绝缘的长期稳定性。
添加颗粒尺寸越小，复合材料晶粒越小且晶界越清晰，有利于形成更均匀的微观结构。