KDP晶体抛光液

去除率50倍于微乳液

利用逆生长机制实现KDP晶体可控平坦化，不同晶面去除率差异小于8%，表面粗糙度达亚纳米级。

Liu, Ziyuan · 高航 · Cheng, Zhipeng · 王宣平

Materials and Manufacturing Processes 2024

参数信息

最大材料去除率

90 μm/min

表面粗糙度

0.00975 μm

技术优势

去除率提升50倍

材料去除率高达90 μm/min，是微乳液抛光方法的50倍，大幅缩短加工时间。

不同晶面去除一致

同一逆生长抛光工艺下，不同晶面材料去除率和表面粗糙度差异在8%以内。

实现镜面级表面

最终获得表面粗糙度Ra为0.00975 μm的镜面KDP晶体表面。

应用场景

• 高功率激光器：为高功率激光器提供超光滑KDP倍频晶体，提升抗激光损伤阈值。
• 光学元件加工：实现KDP光学元件的高效高精度平坦化，替代传统低效抛光。
• 精密抛光：用于KDP晶体的确定性材料去除，去除率高达90 μm/min。
• 晶体表面处理：利用逆生长机制对KDP表面进行可控平坦化，获得镜面。