U形沟道SOI横向IGBT

关断电流提升275%

通过在鸟嘴区引入P-top层抑制碰撞电离,器件在高电压大电流关断时不再失效,显著拓宽反向偏置安全工作区。

Ma, Jie · Chengwu, Pan · Gu, Yong · Zhang, Long · Guiqiang, Zheng · Fu, Hao · Siyang, Liu · Sun, Weifeng · Changyuan, Chang · Zhang, Sen

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

关断电流提升
275 %
反向偏置安全工作区提升
23 %

技术优势

关断电流高

在450 V母线电压下,关断电流比传统结构提升275%。

安全工作区宽

反向偏置安全工作区提升23%,允许更高电压电流组合。

应用场景