细晶粒多层陶瓷电容

储能密度提升 77%

通过两步烧结工艺同时细化晶粒并引入BiMg0.5Hf0.5O3，这种无铅介电陶瓷电容器在保持高饱和极化的同时显著提高了击穿强度和储能效率，为高压脉冲电源的小型化提供了新选择。

李洋 · Jie, Wu · Zhonggang, Zhang · Xuechen, Liu · Xinya, Feng · Xuexin, Li · Chao, Wang · Wang, Mingwen · 杨帅 · Chunchun, Li · 李景雷 · 李飞

Chemical Engineering Journal 2024

参数信息

储能密度

7.8 J cm⁻³

晶粒尺寸减小

60 %

介电击穿场强提升

33 %

储能密度温度稳定性

10 %

技术优势

储能密度提升 77%

两步烧结使晶粒细化 60%，介电击穿场强提高 33%，从而将储能密度从一步烧结的水平大幅提升至 7.8 J cm⁻³。

宽温域工作稳定

在 10 至 180 °C 的温度范围内，储能密度变化小于 10%，适用于高温脉冲功率场景。

应用场景

• 脉冲功率电容器：高储能密度和宽温稳定性可满足脉冲功率系统对小型化、高可靠电容器的需求。
• 无铅介电陶瓷：无铅组分与两步烧结工艺相结合，提供环境友好且性能优异的介电陶瓷方案。
• 高压电容器：击穿场强提高 33%，支持更高工作电压，适合高压电容器应用。