MeO-JLBI掺杂剂

N2200导电率10倍

新型n型掺杂剂通过增强电荷转移驱动力与削弱库仑束缚，在N2200中释放约4倍自由载流子，实现迄今掺杂N2200最高功率因子之一。

Dingchang, Su · Chun, Zhan · Yang, Xiang · 王纬 · Chenglong, Li · Qisheng, Zhou · Defu, Dong · 肖生强

Journal of Materials Chemistry A 2024

具体参数

自由载流子密度提升倍数

{'zh': '4', 'en': '4'}

电导率

{'zh': '1.02 × 10⁻²', 'en': '1.02 × 10⁻²'} S cm⁻¹

功率因子

{'zh': '3.54 × 10⁻²', 'en': '3.54 × 10⁻²'} mW m⁻¹ K⁻²

技术优势

载流子翻4倍

甲氧基增强电荷转移驱动力并削弱库仑相互作用，使自由载流子密度比常见掺杂剂 N-DMBI 和 JLBI 提高约 4 倍。

电导率高10倍

更多的自由载流子直接带来电导率 1.02 × 10⁻² S cm⁻¹，比 N-DMBI 和 JLBI 掺杂薄膜提高约 10 倍。

功率因子拔尖

在最优条件下，室温功率因子达到 3.54 × 10⁻² mW m⁻¹ K⁻²，是迄今报道的掺杂 N2200 薄膜最高值之一。

应用场景

• 有机热电器件：用高电导率掺杂 N2200 薄膜替代传统低性能 n 型层。
• 柔性可穿戴热能收集：提供柔性有机热电材料，将体热或环境温差转化为电能。
• 柔性电子：高功率因子掺杂薄膜适配可弯折、轻质的柔性电子供能。