三角锥磨粒碳化硅

材料去除量高4倍

优化加工方向即可最大限度提升单晶SiC材料去除率并控制位错滑移，加工表面适合外延生长。

樊成

Journal of Manufacturing Processes 2024

技术优势

优化加工方向可使材料去除量提高至4倍

0°离轴角下Si面加工性显著优于C面

shuffle set中b=1/3<112¯0>的位错以基面滑移为主，不受离轴角和晶面类型影响

基面滑移导致的位错深度与加工方向密切相关