记录级zT ~ 0.48
通过晶格应变工程同时优化电输运与热输运,实现载流子迁移率的大幅提升与极低晶格热导率。
Sun, Yuqing · Abbas, Adeel · Wang, Hongxiang · Tan, Chang · Zhihao, Li · Yujie, Zong · 孙珲 · 王春雷 · 王洪超
Chemical Engineering Journal 2024
通过退火时间调控晶格应变,优化了Cu空位缺陷浓度,从而显著改善载流子输运。
纳米尺度的晶格应变强烈散射声子,使673 K时κL低至0.57 W m⁻¹ K⁻¹。
迁移率提升与强声子散射的协同效应,使x=3样品在673 K时zT达到~0.48。