Cu₂.₁Mn₀.₉SnSe₄合金

记录级zT ~ 0.48

通过晶格应变工程同时优化电输运与热输运,实现载流子迁移率的大幅提升与极低晶格热导率。

Sun, Yuqing · Abbas, Adeel · Wang, Hongxiang · Tan, Chang · Zhihao, Li · Yujie, Zong · 孙珲 · 王春雷 · 王洪超

Chemical Engineering Journal 2024

具体参数

热电优值zT
{'zh': '0.48', 'en': '0.48'}
晶格热导率
{'zh': '0.57', 'en': '0.57'} W m⁻¹ K⁻¹
载流子迁移率提升倍数
{'zh': '4', 'en': '4'}

技术优势

载流子迁移率提升约4倍

通过退火时间调控晶格应变,优化了Cu空位缺陷浓度,从而显著改善载流子输运。

晶格热导率接近非晶极限

纳米尺度的晶格应变强烈散射声子,使673 K时κL低至0.57 W m⁻¹ K⁻¹。

创纪录的zT值

迁移率提升与强声子散射的协同效应,使x=3样品在673 K时zT达到~0.48。

应用场景