检测限低至0.06 fM
通过反应离子刻蚀增加沟道表面活性位点，使适体功能化后的传感器对IFN-γ的灵敏度大幅提升。
Wang, Hao · Siyu, Hou · Weihao, Feng · Dongliang, Li · Liu, Jialin · Weisong, Yang · Huang, Suichu · Li, Feiran · 赵学增 · Fang, Chen · 黄聪 · 潘昀路
Materials Today Nano 2025
对IFN-γ的检测限达到5.98×10⁻⁵ nM，能够检测痕量细胞因子。
与未Ar刻蚀的MoS₂-FET和石墨烯FET相比，信号响应明显提高。
建立探针分子修饰密度与检测信号之间的理论关系，为进一步提升检测性能提供依据。