Ce掺杂CuMn2O4尖晶石涂层

氧化增重降66%

适量Ce掺杂稳定尖晶石结构并引入混合价态，同步提升涂层导电性、抗氧化性和阻Cr能力，满足SOFC连接体长效需求。

Liu, Yujing · Yuan-Zheng, Lu · Haotian, Yang · Hongdong, Cai · Minghui, Kong · 杨雯

Ceramics International 2026

具体参数

氧化增重速率降低幅度

{'zh': '66.4', 'en': '66.4'} %

面比电阻（ASR）

{'zh': '13.44', 'en': '13.44'} mΩ cm2

Cr元素存在形态

{'zh': 'Cr3+', 'en': 'Cr3+'}

技术优势

氧化增重直降66%

高温氧化测试中，CMC5样品的氧化增重速率比未掺杂样品低66.4%，连接体寿命直接受益。

ASR再降25.78%

面比电阻降到13.44 mΩ cm²，活化能也降低，意味着运行温度下导电损耗更小。

Cr被锁成+3价

Ce掺杂有效抑制Cr迁移，使Cr主要以Cr³⁺形式存在，从源头减少挥发性Cr⁶⁺物种对阴极的毒化。

应用场景

• SOFC连接体涂层：直接用于SOFC金属连接体，大幅降低高温氧化速率和Cr毒化风险。
• 高温抗氧化涂层：在高温氧化环境中把增重降了66.4%，显著延缓氧化层增厚。
• 导电陶瓷涂层：降低ASR与活化能，在SOFC工作温度下提供更稳定的导电通路。
• 尖晶石功能涂层：通过Ce掺杂优化尖晶石结构，同步实现抗氧化、导电和阻Cr多功能。