Zr掺杂HfO₂铁电存储器

抗质子辐射

研究质子辐射对Zr掺杂HfO₂铁电存储器的电学和结构特性影响，揭示辐射温度依赖的损伤机制。

Xuhao, Zhu · 马瑶 · Bi, Jinshun · 许高博 · Mu, He · Fan, Mei · Yihui, Yuan · Shirui, Li · Wang, Yulin · Peichun, Zou · Xue, Zhao

Journal of Alloys and Compounds 2024

参数信息

剩余极化

2 P

技术优势

室温辐射后性能恢复

室温质子辐射后，铁电性能增强，且经过室温退火后仅部分减弱，表明器件可在一定注量范围内维持功能。

低温辐射损伤可逆

极低温度辐射导致性能完全退化，但通过畴去钉扎效应可以恢复铁电性能，预示潜在的恢复方法。

应用场景

• 辐射环境存储：评估存储器在辐射环境下的耐久性，指导抗辐射设计。
• 航天电子：模拟空间质子辐射对存储器的损伤，验证器件可靠性。
• 高超声速电子：高超声速飞行环境辐射剂量高，需关注存储器退化行为。
• 核工业电子：核工业环境中质子辐射普遍，评估存储器件耐受性。