深能级陷阱MFIS负电容晶体管

精确反映陷阱调控

该晶体管模型首次将深能级界面陷阱态纳入紧凑模型，无需迭代即可精确求解，准确反映不同铁电厚度下陷阱对表面电势和电流的相反调控效应。

Xin, Liu · Shaoman, Peng · Heung Nung, Lau · 黄新成 · 邓婉玲

Journal of Computational Electronics 2024

参数信息

求解效率提升

>100 ×

技术优势

免迭代即得精确解

显式算法直接求解复杂LD公式和陷阱态密度超越方程，无需多轮数值迭代，节省计算时间。

陷阱效应准确建模

模型能够准确反映不同铁电厚度下界面陷阱对表面电势和电流的相反调控效应，从而提高仿真精度。

低功耗设计可用

模型经过综合数值计算和实验数据验证高精度，可有效应用于低功耗条件下的电路仿真设计。

应用场景

• 低功耗晶体管建模：无需迭代即可精确仿真含陷阱的MFIS-NCFET，加速低功耗器件建模与验证。
• 集成电路EDA工具：该紧凑模型可直接集成到电路仿真器中，完善EDA工具对负电容晶体管的支持。
• 纳米电子器件设计：帮助设计者评估不同铁电厚度下陷阱对器件特性的影响，优化纳米电子器件性能。