水平取向MoO₂纳米带

高导电且带隙宽

在蓝宝石基底上实现外延水平生长，兼具高电导率与宽禁带，适用于各向异性光电器件。

Ren, Pinyun · Yujie, Wang · Jing, Wu · 苗金水 · Hong, Yilun · Yi, Zheng · 任先培 · Wenhan, Du · 许金友

Crystal Growth & Design 2023

具体参数

电导率

{'zh': '1.6 × 10³', 'en': '1.6 × 10³'} S/cm

本征带隙

{'zh': '3.9', 'en': '3.9'} eV

技术优势

导电性够高

原位电导率测量显示其电导率可达1.6×10³ S/cm，满足高性能电子器件的需求。

带隙够宽

紫外-可见吸收光谱揭示其本征带隙为3.9 eV，适用于紫外探测和透明电子学。

各向异性明显

角分辨偏振拉曼光谱证实其显著的拉曼各向异性，可用于偏振敏感器件。

取向可控

通过选择蓝宝石晶面和退火处理，可实现纳米带沿一个或三个方向水平生长，便于器件集成。

应用场景

• 各向异性纳米器件：利用其显著的各向异性，制作偏振敏感的光电探测器。
• 微纳电子器件：高电导率使其适合作为纳米互连或电极材料。
• 微纳光子器件：宽禁带与各向异性结合，可用于紫外波导或偏振器。
• 柔性透明电极：高导电和宽禁带有望在透明导电薄膜中应用。
• 高灵敏度传感：各向异性电学响应可增强化学或物理传感器的灵敏度。