往返增益大幅提升
在单一芯片上实现压电与电容换能机制的垂直堆叠，往返增益比单一机制器件显著提高，为高性能超声成像开辟新途径。
王艳 · Weijing, Xu · Lv, Ning · 吴涛 · 周嘉 · 任俊彦
IEEE Sensors Journal 2025
通过图案化压电层，往返增益比PMUT高33 dB，比CMUT高3 dB，提高了超声成像的信噪比和穿透深度。
基于阳极键合技术，可在同一衬底上制造PMUT、CMUT和HMUT，实现了多种换能器的单片集成。
脉冲回波测试证实了HMUT的往返增益提升，与仿真结果一致。