Tb掺杂IZTO薄膜晶体管

高迁移率高稳定

一种通过铽掺杂实现高迁移率与高稳定性的氧化物半导体薄膜,用于高分辨率显示。

王艳 · He, Penghui · Shiyue, Zuo · Yu, Song · Lin, Tang · Hong, Ruohao · 李国立 · Lei, Liao · 邹旭明 · 刘兴强

Applied Physics Letters 2025

具体参数

迁移率
24.8 cm²/V·s
亚阈值摆幅
112 mV/dec
负偏压光照应力下阈值电压漂移
-1.6 V
正偏压温度应力下阈值电压漂移
0.6 V